Tifaso.narod2.ru

Сайт радиолюбителя

Меню сайта
  Поиск по сайту
Мои сайты
  Распиновка транзисторов

ТРАНЗИСТОР КТ315

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура n-p-n

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100 мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350

  • Обратный ток коллектора <=0.5 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>250 МГц

Аналоги транзистора

2N2712, 2SC633Б, BFP719, BFP720

 

ТРАНЗИСТОР КТ361

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура p-n-p

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100 мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350

  • Обратный ток коллектора <=1 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>250 МГц

Аналоги транзистора

2N4125, BC250B

 

ТРАНЗИСТОР КТ3102

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура n-p-n

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 50 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 50 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(200) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.25 Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 100-200

  • Обратный ток коллектора <=0.05 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>150 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <=10 дБ

Аналоги транзистора

 

 

ТРАНЗИСТОР КТ3107

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура p-n-p

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 50 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(200) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.3 Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 70-140

  • Обратный ток коллектора <=0.1 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <=10 дБ

Аналоги транзистора

BC557A, BCY70, MPS3703, BC177AP

 

ТРАНЗИСТОР КТ368

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура n-p-n

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 15 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30(60) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.225 Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-450

  • Обратный ток коллектора <=0.5 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>900 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <=3.3 дБ

Аналоги транзистора

 

 

ТРАНЗИСТОР КТ814

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура p-n-p

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-275

  • Обратный ток коллектора <=50 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ

Аналоги транзистора

TIP30, TIP62, BD814

 

ТРАНЗИСТОР КТ815

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура n-p-n

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-275

  • Обратный ток коллектора <=50 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ
     

Аналоги транзистора

TIP29, TIP61, BD165, BD813

 

ТРАНЗИСТОР КТ816

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура p-n-p

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275

  • Обратный ток коллектора <=100 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ

Аналоги транзистора

TIP32, BD434, BD436, BD612, BD614

 

ТРАНЗИСТОР КТ817

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура n-p-n

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275

  • Обратный ток коллектора <=100 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ
     

Аналоги транзистора

2N5190, 2SD234, TIP31, 2N6121, BD433, BD435, BD611, BD613

 

ТРАНЗИСТОР КТ940

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура n-p-n

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 300 В

  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 300 В

  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(300) мА

  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.2(10) Вт

  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>25

  • Обратный ток коллектора <=0.05 мкА

  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>90 МГц

  • Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ

Аналоги транзистора

2SC1569, 2SC2068, 2SC2242, 2SC2456, BF298, BF299, BF338, BF459, BF470, BF617

 

ТРАНЗИСТОР КП501

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - С изолированным затвором и n-каналом

  • Рассеиваемая мощность - 0,5 Вт

  • Напряжение сток-исток - 250 В

  • Ток стока - 0,18 А

  • Крутизна характеристики - 100 мА/В
     

Аналоги транзистора

 

 

ТРАНЗИСТОР КП505

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - С изолированным затвором и n-каналом

  • Рассеиваемая мощность - 1 Вт

  • Напряжение сток-исток - 50 В

  • Ток стока - 1,4 А

  • Крутизна характеристики - 500 мА/В

  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии - 0,3 Ом

Аналоги транзистора

 

 

ТРАНЗИСТОР BC327

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - p-n-p

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: -50 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V

  • Ток коллектора, не более: -0.8 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

 

 

ТРАНЗИСТОР BC337

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 50 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 0.8 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

 

 

ТРАНЗИСТОР BC547

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 50 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V

  • Ток коллектора, не более: 0.1 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 110 до 800

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

BC546, BC550

 

ТРАНЗИСТОР BC557

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - p-n-p

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: -50 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V

  • Ток коллектора, не более: -0.1 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 110 до 800

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

BC556, BC560

 

ТРАНЗИСТОР BC548

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 30 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 0.1 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 110 до 800

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

BC546, BC547, BC549, BC550

 

ТРАНЗИСТОР C945

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 60 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 0.15 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

2SC1815, 2SC3198, C1815, KSC1815, KSC945C, KTC3198

 

ТРАНЗИСТОР 2SC2655

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 50 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 2 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц

  • Корпус: TO-92MOD

Аналоги транзистора

2SC3328, KTC3209

 

ТРАНЗИСТОР 2SA1020

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - p-n-p

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: -50 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V

  • Ток коллектора, не более: -2 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц

  • Корпус: TO-92MOD

Аналоги транзистора

2SA1315, KTA1281

 

ТРАНЗИСТОР 2SD882

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 40 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 3 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 400

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 90 МГц

  • Корпус: TO-126

Аналоги транзистора

BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, BDX37, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244

 

ТРАНЗИСТОР 2N4401

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 60 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V

  • Ток коллектора, не более: 0.6 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц

  • Корпус: TO-92

Аналоги транзистора

2N5830, 2SC1008, 2SC1009, BC537, BC538, KN2222A, KSC1008, KSC1009, KSP2222A, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN2219A, PN2222A, PN4033, ZTX450, ZTX454, ZTX455

 

ТРАНЗИСТОР TIP122

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 5 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000

  • Корпус: TO-220

Аналоги транзистора

2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TTD1415B

 

ТРАНЗИСТОР BD139

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V

  • Ток коллектора, не более: 1.5 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250

  • Корпус: TO-126
     

Аналоги транзистора

BD139G, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD791, MJE244

 

ТРАНЗИСТОР FJP13007

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 700 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V

  • Ток коллектора, не более: 8 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 60

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц

  • Корпус: TO-220

Аналоги транзистора

KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, STD13007F

 

ТРАНЗИСТОР MJE13005

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 700 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V

  • Ток коллектора, не более: 4 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 40

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц

  • Корпус: TO-220

Аналоги транзистора

2SC3795, 2SC3795A, FJP13007, FJP13009, KSE13007, KSE13007F, KSE13009, MJE13005G, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13009, MJE13009G, MJE13071, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503, STD13007F

 

ТРАНЗИСТОР KSE13003

Распиновка транзистора

Характеристики транзистора

  • Структура - n-p-n

  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В

  • Напряжение коллектор-база, не более: 700 В

  • Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V

  • Ток коллектора, не более: 1.5 А

  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт

  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 40

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц

  • Корпус: TO-126

Аналоги транзистора

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сайты по радиоэлектронике

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

© 2018 Все права защищены Tifaso